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元件参数资料
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参数目录43902
> STD6N62K3 MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
型号:
STD6N62K3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STD6N62K3 PDF
其它有关文件
STD6N62K3 View All Specifications
产品目录绘图
ST Series DPAK
标准包装
1
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
620V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.28 欧姆 @ 2.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
706pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-8480-1
查看STD6N62K3代理商
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